国际标准。

　　从1985年发表该论文以来，一直有各种研究试图改进该模型。

　　94年的时候有试图通过薄氮化氧化物来优化该模型的，95年有通过电子的热再发射来优化。

　　但是这些研究都是通过物质层面，通过改变晶体管材料，来实现优化MOSFET晶体管的目的。

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